Как разогнать память ddr4
Перейти к содержимому

Как разогнать память ddr4

  • автор:

Полный гайд по оперативной памяти DDR4: тайминги, чипы, разгон, выбор для Intel или AMD

Полный гайд по оперативной памяти DDR4: тайминги, чипы, разгон, выбор для Intel или AMD

Оперативная память — важный элемент качественного гейминга или работы. При недостатке памяти, игры проседают по фпс, а рендеринг будет не 30 минут, а, возможно завершения процесса будут дожидаться ваши внуки. Но какую нужно выбрать оперативку, чтобы всё работало хорошо? Какие вообще есть характеристики оперативной памяти? Что такое тайминги и какой должен быть показатель качества? Как работают чипы памяти? Как и для чего нужно разгонять оперативку? В этом полном обзоре отвечаем на эти и другие, не менее важные вопросы.

Как вам материал?

Комментарии 17

Наслаждайтесь общением. Критикуйте сообщения, а не авторов. Меньше токсичности, больше любви ❤️

Разгон оперативной памяти DDR3, DDR4, DDR5

Разгон оперативной памяти DDR3, DDR4, DDR5

В современных компьютерах и ноутбуках используются более производительные комплектующие. Разработчики увеличивают мощностные характеристики видеокарт и процессоров до максимума. В итоге получается, что разгонять эти устройства конечный пользователь самостоятельно не может. Но возможность разгона оперативной памяти остается.

Что такое разгон ОЗУ?

В большинстве случаев имеется в виду увеличение тактовой частоты чипов памяти. При этом снижаются тайминги. Главная цель таких манипуляций — увеличить пропускную способность оперативной памяти. Для этого необходимо подобрать максимальную частоту при минимальных задержках и минимальном напряжении.

Преимущество разгона ОЗУ — улучшенная производительность в играх и приложениях. Однако есть и минусы у такого оверклокинга — при значительном увеличении тактовой частоты чипы памяти начинают сильно нагреваться. Срок службы ОЗУ может значительно уменьшиться. При ручном разгоне можно лишиться гарантии от производителя.

Терминология

Оперативная память имеет несколько основных характеристик, которые следует учитывать при разгоне — напряжение чипов, ранговость, тайминги и тактовая частота.

Ранговость

Память может поддерживать несколько рангов — один, два или четыре. Под рангом принято понимать диапазон данных, ширина которого составляет 64 бита. На ранговость влияет объем и количество установленных на текстолите чипов памяти.

Четырехранговая оперативная память в домашних компьютерах практически не используется. Двухранговая память более производительна по пропускной способности. Прирост в большинстве случаев достигает 6%. Производительность четырехранговой памяти, сравнивая с двухранговой, приблизительно на 2% выше. Лучше всего разгону поддается одноранговая память, так как контроллеры могут обращаться только к одному блоку.

Определить ранговость памяти можно из технических характеристик на сайте разработчика, используя мониторинговые приложения или обратившись к маркировочным данным.

Тактовая частота и тайминги

Две эти характеристики следует рассматривать комплексно, так как они взаимосвязаны. Частота определяет количество циклов чтения, записи и передачи информации в определенный период времени.

Увеличение тактовой частоты увеличивает количество циклов.

Таким образом, оперативная память начинает быстрее обрабатывать информацию. Соответственно, увеличивается пропускная способность.

Напряжение чипов памяти

Напряжение можно изменять на самом контроллере и ячейках. Для определения мощности используется следующая формула: силу тока нужно умножить на напряжение. Соответственно, для поднятия тактовой частоты памяти следует увеличить потребляемую мощность и напряжение. При более высоком напряжении более интенсивно начинают нагреваться чипы памяти. Разное поколение памяти имеет определенные пиковые напряжения и допустимые частоты. Есть специальные таблицы и по ним нужно ориентироваться при оверклокинге. Например, на рынке можно встретить чипы памяти DDR4, в которых рабочее напряжение составляет 1,5 В. В них всегда используется радиатор охлаждения. Данная память разгоняется на заводе и разработчики гарантируют стабильную работу. Разгон такой памяти пользователем невозможен.

Тайминги/задержки

Тайминги — это периоды времени, затрачиваемые на выполнение определенных действий. Для лучшего понимания приведем аналогию: спортсмен бежит по прямой дистанции. Его скорость — это частота. Время нужно человеку, чтобы не упасть во время бега и чтобы анализировать ситуацию — это задержка. Для конечного результата более важной окажется скорость бегуна. Если на дистанции есть помехи или спортсмену нужно в определенном месте поворачивать, то задержки во времени должны быть минимальными. Более высокая частота ОЗУ является определяющей характеристикой при работе с объемными файлами, а задержки важны при передаче небольших файлов, например, когда используется браузер.

Измеряются тайминги в тактах шины. Есть первичные и вторичные тайминги. Их значения можно увидеть в настройках BIOS. Первичные тайминги можно отредактировать. Чтобы эффективно разогнать компьютер, необязательно рассчитывать значение каждого первичного тайминга. В этом случае нужно знать, как использовать минимальное значение, при котором память будет максимально стабильно работать. Значения вторичных таймингов лучше не трогать.

Что представляет собой BIOS?

Это специальная оболочка, с помощью которой можно получить доступ к аппаратной части компьютера и редактировать или иные параметры. Со временем BIOS эволюционировал и стал называться UEFI. Этот более современный интерфейс обладает расширенными возможностями. BIOS перестали производить около 20-ти лет назад, но многие почему-то используют данную аббревиатурой сейчас.222

Разгон оперативной памяти на различных платформах

Перед тем как начинать разгон, нужно определиться с различными нюансами.

Есть ли в вашем ПК возможность для разгона?

Для DDR4 и DDR5:

  • если установлен процессор Intel, то возможность разгона доступна на материнских платах, в названии которых есть буква Z;
  • на AMD-процессорах разгон возможен на сокетах AM4 и AM5.

Для DDR3:

  • для Intel процессоров возможность разгона доступна на материнских платах с буквой Z в названии;
  • при использовании процессоров AMD возможность разгона доступна на отдельных материнских платах. Более детально узнать об этом можно из технических характеристик оборудования на официальном сайте.

Есть ли в вашем ноутбуке возможность для разгона? Для ноутбуков возможность разгона оперативной памяти определяется индивидуально из расчета технических характеристик той или иной модели. ОЗУ для ноутбуков производится в уменьшенном форм-факторе SO-DIMM. В другом существенных отличий нет.

Имеют ли ограничения по частоте разгона процессор или материнская плата?

На оборудование могут устанавливаться лимиты на максимальную тактовую частоту оперативной памяти. Чтобы узнать эту информацию для своего процессора, используйте официальный сайт AMD или Intel. В материнских платах стандартно установлены высокие лимиты.

Безопасность

При ручном разгоне оперативной памяти вы лишаетесь гарантии от производителя. Однако на практике определить, что вы разгоняли оперативную память, технически сложно. Поэтому данная информация чаще всего носит рекомендательный характер. Сжечь оперативную память при разгоне трудно. Если неправильно выставить параметры разгона, то компьютер просто не будет стартовать. В некоторых случаях при длительной работе на высоких напряжениях на текстолите модулей оперативной памяти могут появляться потемнения из-за отсутствия необходимого охлаждения.

Если компьютер не запускается на ваших настройках, через BIOS всегда можно сбросить настройки на стандартные, которые рекомендует производитель.

Полезный для разгона софт

DRAM Calculator для Ryzen

С помощью этого приложения можно выбирать наиболее подходящие значения таймингов, тактовой частоты, напряжения ОЗУ. Приложение работает только с процессорами AMD Ryzen. Все данные необходимо вводить вручную.

CPU-Z

С помощью этой программы можно определить конфигурацию, различные характеристики оборудования, в том числе тактовую частоту, напряжение и тайминги оперативной памяти. Программа полностью бесплатная.

AIDA64

С помощью этого приложения можно мониторить все процессы на компьютере. Дополнительно доступны бенчмарки для определения уровня производительности комплектующих. В AIDA64 можно запустить стресс-тест, который позволяет определить стабильность системы с используемым оборудованием. Для получения доступа ко всем функциям необходимо приобретать лицензию.

Какие разгоны оперативной памяти существуют?

Разгонять оперативную память можно в ручном или автоматическом режиме. В первом случае необходимо самостоятельно выбирать наиболее подходящие параметры и изменять настройки методом тыка.

Автоматический метод используется разработчиками на заводе. В этом случае необходимо активировать в BIOS заранее установленный профиль XMP. Этот профиль представляет собой разработку от компании Intel. В нем сохраняются различные настройки для работы с оперативной памятью — подходящее напряжение, тактовая частота, первичные тайминги. Разработчики используют несколько таких настроек, при которых оперативная память может стабильно работать. При автоматическом разгоне нужно выбрать один из заранее созданных профилей XMP.

Процесс разгона ОЗУ

Когда установленный профиль XMP отсутствует или используемые параметры вас не устраивают, можно выставить другие настройки. Изменять тактовую частоту нужно так, чтобы она была максимальной, а тайминги и напряжение — минимальными.

  1. Зайдите в BIOS во вкладку Overclocking. Найдите профиль XMP, в котором используются максимально высокие значения. Например, в ПК установлены модули ОЗУ на 2133 МГц и напряжением 1,35 В. Значения таймингов составляют 16-18-18-32.
  2. Перейдите во вкладку Advanced DRAM Configuration. Установите частоту, которая будет больше максимальной, например, 2250 МГц. Попробуйте использовать стандартные тайминги, который используются изначально — 16-18-18-32 в нашем случае. Начните уменьшать первый тайминг на один шаг (для процессоров Intel) или на два шага (для процессоров AMD). Другие значения таймингов будут изменяться пропорционально первому значению.
  3. Установите напряжение. Если нет возможности увеличить тактовую частоту, нужно увеличить напряжение. Стандартно в нашем примере используется 1,35 В. Увеличиваем это напряжение на 0,5 В.
  4. Далее запустите стресс-тест и проверьте стабильность системы.

Если разгон вас не устраивает, можно опять увеличить тактовую частоту. Когда память не проходит стресс-тест, можно попробовать увеличить напряжение при аналогичных параметрах.

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

  1. Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
  2. Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
  3. Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

  1. Конфиг «Extreme» от anta777 (рекомендую). Убедитесь, что конфиг загрузился: должно быть написано ‘Customize: Extreme1 @anta777’.
  2. Ссылка на сборку TM5 с множеством конфигов.
  3. Конфиг LMHz Universal 2
  4. Если возникают проблемы с аварийным завершением всех потоков при запуске с экстремальным конфигом, может помочь изменение строки «Testing Window Size (Mb)=1408». Измените значение размера окна на значение, вычисленное путём деления общего количества оперативной памяти (за вычетом некоторого запаса для Windows) на количество доступных потоков процессора (например, 12800/16 = 800 Мб на поток).

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

  • Обратите внимание, что AVX и SSE могут различаться по скорости обнаружения ошибок. В системах на базе Intel, для тестирования напряжения IMC лучше подходит SSE, а AVX – для напряжения DRAM.
  • Тест Large AVX2 CPU – это отличный тест стабильности для вашего процессора и оперативной памяти одновременно. Чем сильнее вы разгоняете свою оперативную память, тем сложнее будет добиться стабильности в этом тесте.
Альтернативные варианты
  1. Установите WSL и Ubuntu.
  2. В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
  3. Далее: sudo apt-get install stressapptest
  4. Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.
  1. В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
  2. Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

  • Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
  • В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

  1. В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
  2. Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
  3. Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
  4. Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
  5. Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

  • Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
  • Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
  • Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

  • AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
  • Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
  • xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
  • MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
  • Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
  • HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
  • PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

  • DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
  • DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

  • Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
  • Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

  • На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
  • Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
  • Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
  • По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Примечание: Известно, что Thaiphoon не определяет чип, а лишь пытается угадать, поэтому ему не следует полностью доверять. Настоятельно рекомендуется обращать внимание на информацию, указанную в наклейке на модуле, если это возможно.

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

  • Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
  • Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

  • 3 = Micron
  • 4 = Samsung
  • 5 = Hynix
  • 8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

  • 1 = 2 Гб
  • 2 = 4 Гб
  • 3 = 8 Гб
  • 4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

  • Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
  • Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
  • Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
  • Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

  • Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
  • Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
  • Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
  • И следующие 2 цифры – год изготовления.
  • Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.
О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

  • На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
  • * Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
  • Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
  • Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
  • Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

  • На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
  • У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
  • Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
  • Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как ~DDR4-3333 CL14 при 1,40 В, ~DDR4-3533 CL14 при 1,45 В и DDR4-3733 CL14 при 1,50 В.

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип tCL tRCD tRP tRFC
Hynix 8 Гб AFR Да Нет Нет ?
Hynix 8 Гб CJR Да Нет Нет Да
Hynix 8 Гб DJR Да Нет Нет Да
Micron 8 Гб Rev. B Да Нет Нет Нет
Micron 8 Гб Rev. E Да Нет Нет Нет
Micron 16 Гб Rev. B Да Нет Нет Нет
Nanya 8 Гб B-die Да Нет Нет Нет
Samsung 4 Гб E-die Да Нет Нет Нет
Samsung 8 Гб B-die Да Да Да Да
Samsung 8 Гб D-die Да Нет Нет Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR 3600
Hynix 8 Гб CJR 4133*
Hynix 8 Гб DJR 5000+
Nanya 8 Гб B-die 4000+
Micron 8 Гб Rev. B 3600
Micron 8 Гб Rev. E 5000+
Micron 16 Гб Rev. B 5000+
Samsung 4 Гб E-die 4200+
Samsung 8 Гб B-die 5000+
Samsung 8 Гб D-die 4200+
  • * – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
  • Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
  • Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.
Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

  • Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка Чипы Описание
S Samsung 8 Гб B-Die Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.
  • Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
  • Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.
Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон ~30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц) VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600 1,10 – 1,15
3600-4000 1,15 – 1,20
4000-4200 1,20 – 1,25
4200-4400 1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

  • Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
  • В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
  • Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.
AMD: AM4
  • MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
  • FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
  • UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
  • На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
  • В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
  • SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
  • С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте DDR4-3466 и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC =< 1.10 В.
Источник: The Stilt

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

Большинство вольтажей cLDO регулируются с двух главных шин питания процессора. В случае cLDO_VDDG и cLDO_VDDP они регулируются через VDDCR_SoC. Поэтому есть пара правил. Например, если вы установите VDDG на 1,10 В, а фактическое напряжение SoC под нагрузкой у вас составляет 1,05 В, VDDG будет оставаться максимум на ~1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen Ожидаемая частота (МГц)
1000 3000-3600
2000 3400-3800*
3000 3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK)
3800+ (2:1 MCLK:FCLK)
  • Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
  • * – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
  • * – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
  • Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
  • Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen Латентность (нс)
1000 65-75
2000 60-70
3000 65-75 (1:1 MCLK:FCLK)
75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

  • Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
  • Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
  • Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

  • Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
  • Asus: VDDCR SOC;
  • Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
  • MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

  • «Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
  • Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

  • Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
  • Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

  • На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
  • На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

  • MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
  • Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на ~20%. При охвате тестирования (coverage) 6400% показатель обнаружения ошибок составляет 99,41%, а при длительности 1 час – 98,43% (Источник — раздел Kahru FAQ).
  • TM5 с anta777 Extreme: 3 цикла. Время зависит от тестируемого объёма. Для 16 Гб RAM обычно требуется 1,5-2 часа. Если у вас 32 Гб, можно в 12-й строке конфиг-файла (Time(%)) сократить значение на половину, и у вас получится примерно такое же время выполнения, как и для 16 ГБ.
  • OCCT Memory: по полчаса на тест SSE и на тест AVX.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

  • Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
  • Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
  • Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.
  • Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
  • Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

  • Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
  • Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
  • Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
  • Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
  • Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).
Частота (МГц) Максимальная пропускная способность в двухканальном режиме (Мб/с)
3000 48000
3200 51200
3400 54440
3466 55456
3600 57600
3733 59728
3800 60800
4000 64000

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

  • На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
  • Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

  • Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
  • Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
  • На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

  • Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
  • tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
  • Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
  • Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
  • Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Чип

tRFC (нс)

Оверклокинг для чайников: как без проблем разогнать оперативную память?

На фоне кризиса на рынке комплектующих для ПК пользователи стараются выжать максимум из имеющегося железа. Для этого они прибегают к оверклокингу, в народе именуемому «разгоном», — увеличению показателей для повышения производительности системы.

Чаще всего речь идет о разгоне процессора и видеокарты — с этими действиями знакомы даже многие начинающие пользователи. А между тем разгон оперативной памяти может оказаться не менее полезным и придать мощности вашего ПК необходимый толчок. Проблема в том, что разогнать оперативку не так просто. В этом материале разберемся, как правильно разогнать оперативную память, чтобы не подвергнуть компьютер опасности и избежать головной боли.

Зачем разгонять оперативную память?
Любую ли оперативку возможно разогнать?
Как проверить частоту оперативной памяти?
Самый простой способ: разгон оперативной памяти при помощи XMP-профиля
Продвинутый способ: разгон оперативной памяти в BIOS
  • Подготовка к разгону: теория
  • Ручной разгон оперативной памяти и проверка работоспособности
Можно ли откатить разгон оперативной памяти?

Зачем разгонять оперативную память?

Главный показатель, за увеличение которого борются адепты оверклокинга, — тактовая частота оперативной памяти. Она отвечает за количество операций, которую RAM способна выполнять за одну секунду. На чем это отражается на практике? Да практически на всем! Тактовая частота влияет на скорость передачи данных, копирования, чтения и передачи информации. Разогнанная оперативная память ускорит любые ресурсоемкие процессы в компьютере, начиная от банальной распаковки архивов или перемещения файлов и заканчивая рендером видео и работы требовательных к железу игр.

Разгон RAM будет полезен всем — от офисных работников до заядлых геймеров. Зачастую именно частоты оперативки не хватает для того, чтобы выжать из игры еще несколько кадров в секунду и обеспечить стабильно плавную смену картинки на слабом ПК или на ноутбуке. Тем же, кто использует компьютер как инструмент для работы, оверклокинг позволит тратить меньше времени на рутинные действия. Словом, мегагерцы лишними не бывают, как и улучшенная производительность.

Ранее мы рассказывали:

Тут помню, тут не помню. Как выбрать оперативную память?

Любую ли оперативку возможно разогнать?

Технически — да. Любые модули оперативной памяти поддерживают разгон, но есть ряд нюансов.

Наиболее актуальным и распространенным на сегодняшний день стандартом оперативки является DDR4 SDRAM — четвертое поколение оперативной памяти. В ближайшие годы ему на смену должна прийти DDR5 SDRAM , но на текущий момент с огромной долей вероятности вы обнаружите в своем компьютере именно эти модули. Поэтому данный материал будет сосредоточен на разгоне DDR4.

Чем отличается ситуация при разгоне более устаревших модулей памяти? Тут можно выделить два главных отличия. Во-первых, встает проблема совместимости памяти с процессором и материнской платой . Современные «материнки», допускающие продвинутый оверклокинг через BIOS, часто оборудованы слотами оперативной памяти, поддерживающими только DDR4. Поэтому использовать память стандарта DDR3 или более ранней версии с ними уже не выйдет. Совместимость комплектующих, как правило, можно уточнить на сайте производителя железа — в данном случае материнской платы.

Во-вторых, ключевые параметры, которые меняются в ходе разгона, будут значительно отличаться у разных поколений оперативной памяти . Понятно, что вычислительные мощности постоянно растут и современные модули RAM способны достигать куда большей тактовой частоты. Но есть и еще один более важный параметр, заслуживающий внимания, — подаваемое на модуль оперативки напряжение. Его неизбежно придется поднимать, чтобы достигнуть заветного ускорения. Например, для нынешних DDR4 нормальным напряжением считается 1,2 вольта, а пиковым — 1,4. В случае использования устаревших стандартов оперативной памяти показатели будут отличаться.

Для модулей памяти DDR2:

  • Нормальное напряжение — 1,8 вольта;
  • Пиковое напряжение — 2,2 вольта.

Для модулей памяти DDR3:

  • Нормальное напряжение — 1,5 вольта;
  • Пиковое напряжение — 1,7 вольта.

Для модулей памяти DDR4:

  • Нормальное напряжение — 1,2 вольта;
  • Пиковое напряжение — 1,4 вольта.

Как проверить частоту оперативной памяти?

Прежде чем вносить какие-то изменения в настройки оперативной памяти, хорошо бы для начала проверить, с какой частотой она на самом деле работает. Возможно, показатели вас приятно удивят и с разгоном возиться не придется.

Существует множество утилит для мониторинга состояния компьютера, и проверить тактовую частоту можно при помощи почти любой из них. Мы расскажем, как это сделать, на примере двух программ — крайне популярной в среде компьютерщиков AIDA64 и совсем уж простенькой утилиты CPU-Z, с которой разберется даже начинающий пользователь.

В случае CPU-Z из основного окна программы достаточно перейти на вкладку Memory. Частота оперативной памяти будет указана возле надписи DRAM Frequency:

При использовании AIDA64 на верхней панели выбираем вкладку «Сервис», а в ней опцию AIDA64 CPUID. Откроется новое окошко, в котором тактовая частота оперативной памяти будет указана в самом низу возле надписи Memory Clock.

AIDA64 удобна еще и тем, что в ней можно заранее посмотреть рабочие наборы настроек для оперативной памяти — частоты и таймингов — на случай, если вы собираетесь менять эти показатели вручную. Чтобы увидеть их, достаточно выбрать на левой панели вкладку «Системная плата», а в ней — SPD:

Напоследок уточним: если при проверке частоты оперативной памяти вы увидите показатель примерно в два раза ниже ожидаемого, то не переживайте и не торопитесь оформлять возврат. Дело в том, что производители оперативной памяти обычно указывают в документации так называемую эффективную частоту модуля, а программы для мониторинга, как правило, выдают реальную частоту. Путаница между этими двумя показателями началась как раз с введением памяти стандарта DDR, способной передавать информацию с удвоенной скоростью. Так что при реальной частоте современной оперативки в 1600 МГц ее эффективная частота составит 3200 МГц и так далее.

Самый простой способ: разгон оперативной памяти при помощи XMP-профиля

Если вы задаетесь вопросом «Как разогнать ОЗУ?» и при этом не планируете тратить на решение слишком много времени и уж тем более погружаться в сложные технические детали, этот способ однозначно для вас. Допустим, вы просто приобрели новенький модуль оперативной памяти DDR4. Но столкнулись с тем, что он работает с тактовой частотой куда ниже заявленной, и хотите это исправить. В таком случае решение займет всего несколько минут.

Производители современных модулей оперативной памяти, как правило, снабжают их специальным чипом, на котором записан так называемый XMP-профиль (Extreme Memory Profile). Это проверенный техническими специалистами и гарантированно рабочий набор настроек, позволяющий оперативной памяти функционировать с более высокой тактовой частотой. В таком случае от пользователя лишь потребуется подключить этот набор настроек в BIOS.

Для начала нужно зайти в настройки BIOS, и зачастую уже этот момент способен вызвать определенные затруднения. Дело в том, что способ открытия настроек BIOS разнится в зависимости от модели материнской платы. Чаще всего для этого достаточно нажать клавишу Delete или F2 при загрузке компьютера, но бывают и куда более экстравагантные случаи. Возможных комбинацией для запуска настроек BIOS десятки, и уточнить, какой из них подходит вашей материнской плате, проще всего, загуглив ее название.

Интерфейс настроек BIOS также может существенно отличаться, и дать универсальный совет по поиску нужной опции довольно сложно. Нас интересует отвечающий за настройки оперативной памяти раздел DRAM Settings и конкретно строчка под названием Extreme Memory Profile — ей необходимо задать параметр Enabled («Подключен»). На современных материнских платах, заточенных под разгон комплектующих, этот параметр может находиться в разделе под названием Overclocking или просто OC:

Подключив XMP-профиль, достаточно просто выйти из настроек BIOS с сохранением всех изменений (как правило, за это отвечает клавиша F10 или пункт Exit & Save Changes в меню) и перезагрузить компьютер. Теперь можете проверить частоту оперативной памяти любым из описанных выше способов — она должна ощутимо подрасти. Влияние разгона на производительность компьютера, возможно, будет сложно оценить сразу, но с требовательными приложениями и играми ваша система теперь будет справляться куда увереннее.

Продвинутый способ: разгон оперативной памяти в BIOS

Но что, если вам недостаточно той частоты, которую заложили в XMP-профиле производители оперативной памяти и вы хотите добиться лучших результатов? Тут ответ один — придется править параметры модуля оперативки через БИОС вручную.

Данный метод разгона рассчитан на более продвинутого пользователя. Если четко придерживаться инструкции, вероятность повредить компьютер или его компоненты практически нулевая. Но ошибки запросто могут привести к выходу оперативной памяти из строя. Если не уверены в своих силах, лучше ограничиться XMP-профилем или обратиться для разгона к специалисту. Для тех же, кто готов действовать на свой страх и риск, лишь бы выжать из компьютера максимум производительности, разберем разгон оперативки вручную. Но сперва нам потребуется небольшая теоретическая подготовка.

Подготовка к разгону: теория

Итак, для ручного разгона оперативки нам предстоит манипулировать тремя ключевыми и связанными между собой параметрами.

Во-первых, это уже известная нам тактовая частота, измеряемая в мегагерцах. Ее повышение и является нашей главной целью. Манипулировать частотой оперативной памяти можно, не боясь каких-либо последствий. Самое худшее, что может произойти, если вы превысите допустимую планку, — компьютер просто не включится, и вам придется откатить настройки BIOS до заводских параметров. Это делается либо с помощью соответствующей кнопки на материнской плате, либо можно просто на несколько секунд вытащить из микросхемы BIOS питающую ее батарейку. Но в любом случае сброс BIOS стоит освоить до того, как приступать к каким-либо продвинутым манипуляциям в настройках.

Второй ключевой параметр, а точнее группа параметров, — это тайминги, также известные как задержки и латентности, измеряемые в тактах. Грубо говоря, если тактовая частота отвечает за скорость работы оперативной памяти, то тайминги отвечают за ее скорость реакции. Чем меньше тайминг, тем быстрее «оперативка» будет реагировать на задачи. Но для того, чтобы повысить тактовую частоту и общую скорость работы, нам придется пожертвовать скоростью реакции и немного повысить тайминги. Основных таймингов пять, и их можно найти как в BIOS, так и в любой программе для мониторинга системы под следующими обозначениями:

  • CL (CAS# Latency);
  • RCD (RAS# to CAS# Delay);
  • RP (RAS# Precharge);
  • RAS (Cycle Time);
  • CR (Command Rate).

Не пугайтесь сложных обозначений: они понадобятся нам только для того, чтобы найти нужные параметры в настройках. Главное, что необходимо усвоить: чем выше тактовая частота, тем выше задержки. Менять тайминги также можно, не опасаясь тяжелых последствий для системы.

Третий параметр, работа с которым требует максимальной осторожности, — подаваемое на модуль оперативной памяти напряжение (измеряется в вольтах). Для того чтобы модулю памяти хватило питания на поддержку необходимой тактовой частоты, напряжение придется поднять, но здесь очень важно знать меру! Каждый стандарт оперативной памяти имеет показатель пикового напряжения, превышать который крайне небезопасно: это может повредить комплектующие компьютера, и еще повезет, если дело ограничится только оперативкой! Напомним, что для памяти DDR4 пиковое напряжение составляет 1,4 вольта, но в целях безопасности рекомендуется держать определенную дистанцию до критической отметки и не повышать напряжение выше 1,35 вольта. Кроме того, не забывайте, что увеличение напряжения приведет к росту температуры при работе модуля и увеличит его износ. Поэтому для ручного разгона рекомендуется использовать модули оперативной памяти, оборудованные собственными радиаторами.

Ручной разгон оперативной памяти и проверка работоспособности

Вооружившись теорией, можно приступать к практике — ручному разгону оперативной памяти. Делается это через все то же меню настроек BIOS. Для начала выставим подаваемое на модуль оперативки напряжение с запасом , чтобы не переживать об этом параметре в дальнейшем. Нас интересует строчка DRAM Voltage — она часто находится в разделе продвинутых настроек Advanced Settings. В случае использования памяти DDR4 можно действовать в пределах от 1,25 до 1,35 вольта: больше будет уже небезопасно. Также стоит немного повысить напряжение контроллера памяти. Искомый параметр называется CPU NB/SoC Voltage — его рекомендуется выставить в пределах от 1,025 до 1,15 вольта.

Теперь можно взяться за повышение частоты оперативной памяти — параметра DRAM Frequency . За исходную точку можно взять частоту, выставленную в XMP-профиле, и повышать ее с шагом в 100 МГц. После повышения частоты до желаемой отметки перезагрузите компьютер. Если система удачно подгрузилась, можно попробовать вернуться в BIOS и поднять частоту еще чуть выше. В случае же, если вас устраивает полученный показатель, рекомендуется провести стресс-тест оперативной памяти. Сделать это можно все в той же универсальной AIDA64: в разделе «Сервис» выберите «Тест стабильности системы» и перед запуском теста поставьте галочку в строке Stress System Memory.

Если на стадии прохождения теста или загрузки системы возникли какие-то проблемы, придется перейти к настройкам таймингов. Какой-то универсальной формулы тут нет, так что придется подбирать нужные значения методом научного тыка. Но есть ряд советов, которые способны упростить настройку:

  • Первые четыре тайминга (CL, RCD, RP и RAS) рекомендуется повышать или понижать одновременно.
  • Тайминги CL, RCD и RP рекомендуется менять с шагом в один такт.
  • Тайминг RAS рекомендуется менять с шагом в два такта.
  • В тайминге CR для ручного разгона рекомендуется выставить параметр 2T.

В общем, возиться с тонкой настройкой соотношения тактовой частоты и таймингов можно довольно долго — тут все зависит от того, насколько вы готовы погрузиться в процесс, чтобы достичь оптимального результата (максимально возможной частоты при минимально возможных таймингах). Решайте сами, стоит ли эта игра свеч.

Ранее мы рассказывали:

AMD или Nvidia. Как выбрать видеокарту и не прогадать

Можно ли откатить разгон оперативной памяти?

Безусловно, но для начинающих пользователей это может стать непростой задачей. Именно поэтому мы рекомендовали им ограничиться настройками XMP-профиля. В случае, если у вас выставлена рабочая конфигурация настроек оперативной памяти, вернуть оригинальные показатели можно все в том же меню BIOS. Можно править каждый из параметров вручную или откатить их до начальных значений с помощью опции Load Setup Default («Выставить все настройки по умолчанию»).

Если же вы выставили такие показатели частоты, что компьютер с ними не включается вовсе, придется сбросить BIOS до заводских настроек, а значит — покопаться в системном блоке. Перед любыми манипуляциями не забудьте отключить компьютер от розетки или отсоединить аккумулятор, если вы используете ноутбук. На многих моделях материнских плат часто можно обнаружить специальную кнопку для сброса BIOS. Как правило, она обозначается надписью CLEAR или CLR — просто нажмите на нее.

Зачастую настройки BIOS также можно сбросить с помощью специального джампера, который занимает два контакта из трех, расположенных в ряд. Для этого снимите джампер с одной пары контактов и переставьте на вторую. Затем нажмите на кнопку включения ПК (не включая его в розетку) и удерживайте ее несколько секунд. После этого джампер можно вернуть на прошлое место — настройки BIOS будут сброшены.

Наконец, если ни один из выше описанных способов вам не доступен, остается радикальное решение — обесточить BIOS. Для этого нужно будет найти и извлечь на несколько минут питающую BIOS маленькую батарейку (обычно используется трехвольтовая). Будьте осторожны: на некоторых материнских платах батарейку снять невозможно (обычно это встречается в ноутбуках). Также на ноутбуках батарейка порой подсоединяется к плате с помощью специального провода — перед извлечением элемента питания этот провод необходимо отключить.

Надеемся, что наше руководство помогло вам разобраться с разгоном оперативной памяти! Помните, что главное — трезво оценивать свои силы, следовать инструкциям и действовать максимально осторожно. Как говорится, «семь раз отмерь, один раз нажми Enter». Удачи, оверклокеры!

Посмотреть все модели оперативной памяти и выбрать свою

Хотите стать автором «Эльдоблога»? Тогда присылайте нам свои обзоры и видео техники и получайте до 1000 бонусов на новые покупки!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *